TK3A65D(STA4,Q,M)

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निर्माता भाग	TK3A65D(STA4,Q,M)
निर्माता	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण	MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	TK3A65D(STA4,Q,M) PDF

उपलब्धता

इनस्टक	932,435
एकाइ मूल्य	$ 1.43220

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TK3A65D(STA4,Q,M) निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	π-MOSVII
प्याकेज:	Tube
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	650 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	3A (Ta)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	10V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	2.25Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	4.4V @ 1mA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (अधिकतम):	±30V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	540 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	35W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	TO-220SIS
प्याकेज / केस:	TO-220-3 Full Pack

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