EPC2108

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निर्माता भाग	EPC2108
निर्माता	EPC
विवरण	GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - arrays
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	EPC2108 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	2,586
एकाइ मूल्य	$ 1.91000

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EPC2108 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	eGaN®
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
fet सुविधा:	GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	60V, 100V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	1.7A, 500mA
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	22pF @ 30V, 7pF @ 30V
शक्ति - अधिकतम:	-
सञ्चालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
प्याकेज / केस:	9-VFBGA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	9-BGA (1.35x1.35)

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