HS8K11TB

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निर्माता भाग	HS8K11TB
निर्माता	ROHM Semiconductor
विवरण	MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - arrays
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	HS8K11TB PDF

उपलब्धता

इनस्टक	668
एकाइ मूल्य	$ 0.67000

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HS8K11TB निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	-
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:	Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	30V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	7A, 11A
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	17.9mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	11.1nC @ 10V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	500pF @ 15V
शक्ति - अधिकतम:	2W
सञ्चालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
प्याकेज / केस:	8-UDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	HSML3030L10

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