SI3590DV-T1-GE3

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निर्माता भाग	SI3590DV-T1-GE3
निर्माता	Vishay / Siliconix
विवरण	MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - arrays
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	SI3590DV-T1-GE3 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	5,557
एकाइ मूल्य	$ 0.95000

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SI3590DV-T1-GE3 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	TrenchFET®
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N and P-Channel
fet सुविधा:	Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	30V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	2.5A, 1.7A
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	77mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	4.5nC @ 4.5V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	-
शक्ति - अधिकतम:	830mW
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
प्याकेज / केस:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	6-TSOP

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