TPS1120DR

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निर्माता भाग	TPS1120DR
निर्माता	Texas Instruments
विवरण	MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - arrays
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

उपलब्धता

इनस्टक	2,224
एकाइ मूल्य	$ 2.10000

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TPS1120DR निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	-
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	2 P-Channel (Dual)
fet सुविधा:	Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	15V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	1.17A
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	180mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	5.45nC @ 10V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	-
शक्ति - अधिकतम:	840mW
सञ्चालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
प्याकेज / केस:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	8-SOIC

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