DF11MR12W1M1B11BOMA1

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निर्माता भाग	DF11MR12W1M1B11BOMA1
निर्माता	Rochester Electronics
विवरण	IGBT MODULE
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - arrays
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	DF11MR12W1M1B11BOMA1 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	83
एकाइ मूल्य	$ 120.00000

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DF11MR12W1M1B11BOMA1 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	*
प्याकेज:	Bulk
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:	Silicon Carbide (SiC)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	1200V (1.2kV)
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	50A
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	23mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	5.5V @ 20mA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	125nC @ 5V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	3950pF @ 800V
शक्ति - अधिकतम:	20mW
सञ्चालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Chassis Mount
प्याकेज / केस:	Module
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	Module

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